SK Hynix готовится начать многочисленное изготовление 48-слойной 3D NAND
По опубликованным раньше проектам южнокорейской компании SK Hynix, во 2-й половине 2016 года она намеревалась приступить к производству 2-го поколения двухслойной памяти 3D NAND. Первая генерация двухслойной флеш-памяти 3D NAND организация начала широко производить в III квартале 2015 года. Это были 36-слойные микросхемы ёмкостью 128 Гбит с MLC-ячейкой (по 2 бита данных в ячее).
Пока, за прошлое с того времени время SK Hynix не сумела повысить объёмы производства 3D NAND до существенных объёмов. К настоящему времени она вышла на объём 10 млн. 300-мм пластинок в неделю, что чуть ли не намного меньше, чем может производить 3D NAND организация «Самсунг». Существенно поднять объёмы изготовления 3D NAND организация SK Hynix гарантирует до конца 2016 года.
Микросхемы NAND флеш-памяти SK Hynix
По известию интернет-издания The Korea Economic Daily, до конца нынешнего месяца организация SK Hynix приступит к групповому производству 2-го поколения 3D NAND в качестве 48-слойных 256-Гбит микросхем с трёхбитовой ячейкой (TLC). До конца года объёмы изготовления 48-слойных микросхем будут доведены до 20–30 млн. 300-мм пластинок в неделю. Иными словами, SK Hynix удвоит и утроит выпуск двухслойной памяти, что гарантирует позитивно отразиться на развитии расценок на твердотельные накопители. Достигнутые объёмы изготовления доведут долю 3D NAND в потоке флеш-памяти SK Hynix до 15 %.
Специалисты компании IHS Markit посчитали, что в 2016 году часть 3D NAND добьется значения 23,6 %. Годом ранее двухслойная память сдерживала лишь 6,7 %, но всё другое — это была планарная память NAND-флеш. В 2017 году, как предсказывается, часть 3D NAND добьется 57,8 % и начнёт господствовать на рынке, гарантируя сделать обладатели на флеш-памяти ещё доступнее по стоимости.
Проекты SK Hynix в сфере 3D NAND флеш-памяти (TechInsights)
Надо сказать, организация SK Hynix будет 2-м после «Самсунг» изготовителем, освоившим выпуск 48-слойной 3D NAND. Следующей мишенью компании будет введение в изготовление 72-слойной флеш-памяти, что предполагается во 2-й половине 2017 года. Похоже, SK Hynix приняла решение проглядеть раунд изготовления 64-слойной 3D NAND и собирается в «скачке» опередить «Самсунг» и Toshiba, которые перешли либо приступят к производству 64-слойной памяти во 2-й половине 2016 года.