Концерн «Росэлектроника» (входит в госкорпорацию Ростех) перешел к подготовке многообещающих видов транзисторов, которые найдут применение в разных электронных приборах.
Речь, например, идёт о транзисторах на базе нитрида галлия (GaN) и о так именуемых спиновых равнинных транзисторах.
Подчеркивается, что изделия на базе GaN откроют большие возможности в изготовлении блоков питания разных видов, в формировании мобильной и мировой связи. Например, такие транзисторы позволят существенно снизить размеры БП, адаптеров и заправочных механизмов. Но это позволит уменьшить массу и увеличить результативность электрокаров и гибридов.
В мобильной связи 5-го поколения производительные СВЧ-транзисторы на базе GaN позволят повысить объёмы передаваемого трафика за счёт большего спектра частот. Благодаря повышенной радиоактивной стойкости свежие транзисторы будут востребованы в области мировой связи. Квалифицированные эталоны изделий ожидается получить в 2017 году.
Что же касается спиновых равнинных транзисторов, то они гарантируют весьма хорошую скорость переключения между состояниями и невысокое потребление. Стоковое изготовление подобных изделий пока не освоено ни у кого во всем мире.